[发明专利]具有纳米结构的磊晶基板及发光二极管的制作方法有效
申请号: | 201110349563.8 | 申请日: | 2011-11-08 |
公开(公告)号: | CN102856446A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 罗信明;许世昌 | 申请(专利权)人: | 兆鑫光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;顾以中 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种具有纳米结构的磊晶基板制作方法,包含一阻挡层形成步骤,于该磊晶基板的表面形成一由多个氧化锌纳米颗粒构成的阻挡层,一蚀刻步骤,以该阻挡层为蚀刻屏蔽,利用干式蚀刻方式蚀刻该磊晶基板未被该阻挡层遮蔽的表面,于该磊晶基板形成具有与该阻挡层的氧化锌纳米颗粒所形成的图案对应的纳米结构,及一移除步骤,将该阻挡层自该磊晶基板表面移除,即可完成该具有纳米结构的磊晶基板制作。此外,本发明还提供一种发光二极管制作方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 纳米 结构 磊晶基板 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】:
一种具有纳米结构的磊晶基板制作方法,其特征在于:该制作方法包含一个阻挡层形成步骤,一个蚀刻步骤,及一个移除步骤,该阻挡层形成步骤包括一个第一次步骤,将一个磊晶基板浸入一个具有锌氨错离子的第一溶液,一个第二次步骤,将该磊晶基板自该第一溶液取出,并再将其浸入温度不高于35℃的水中,令该锌氨错离子水解析出的氢氧化锌沉积于该磊晶基板的表面,及一个第三次步骤,将该表面形成氢氧化锌的磊晶基板浸入一个含有水,且温度不小于80℃的第二溶液中,令该氢氧化锌脱水,而于该磊晶基板的表面形成一个由多个氧化锌纳米颗粒构成的阻挡层;该蚀刻步骤是以该阻挡层为蚀刻屏蔽,利用干式蚀刻方式蚀刻该磊晶基板未被该阻挡层遮蔽的区域,于该磊晶基板形成具有与该阻挡层的氧化锌纳米颗粒所形成的图案对应的纳米结构;该移除步骤则是将该阻挡层自该磊晶基板表面移除,即可制作完成该具有纳米结构的磊晶基板。
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