[发明专利]穿隧式磁阻传感器有效
| 申请号： | 201110346438.1 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102866365A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 李乾铭;陈光镜;刘富台 | 申请（专利权）人： | 宇能电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01D5/12 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种穿隧式磁阻传感器，包括基板、绝缘层、电极阵列以及穿隧磁阻元件。绝缘层是配置于基板上方，并具有多个开口。电极阵列包括多个电极，且这些电极是彼此间隔地排列在绝缘层中，而各个开口分别暴露出其所对应的电极。穿隧磁阻元件则是配置在电极阵列上方，并电性连接至此电极阵列。此穿隧式磁阻传感器为平面穿隧式磁阻传感器，也就是说其仅需形成单层电极与穿隧磁阻元件电性连接，具有简化制程与节省成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 穿隧式 磁阻 传感器 | ||
【主权项】：
一种穿隧式磁阻传感器，其特征在于，包括：一基板；一绝缘层，配置于该基板上方；一穿隧磁阻元件，嵌于该绝缘层中；以及一第一电极阵列，包括多个第一电极，该些第一电极彼此间隔地排列于该绝缘层上方，并分别电性连接至该穿隧磁阻元件。
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