[发明专利]穿隧式磁阻传感器

权利要求书

1.一种穿隧式磁阻传感器，其特征在于，包括：

一基板；

一绝缘层，配置于该基板上方；

一穿隧磁阻元件，嵌于该绝缘层中；以及

一第一电极阵列，包括多个第一电极，该些第一电极彼此间隔地排列于该绝缘层上方，并分别电性连接至该穿隧磁阻元件。

2.如权利要求1所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，该穿隧磁阻元件包括多个磁穿隧接面单元，彼此间隔地排列于该绝缘层中，且各该磁穿隧接面单元分别电性连接至两相邻的该些第一电极。

3.如权利要求2所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，该绝缘层具有多个第一开口，且各该磁穿隧接面单元分别填于其所对应的该第一开口内，而该些第一电极系直接与该些磁穿隧接面单元电性接触。

4.如权利要求2所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，更包括多个第一接触插塞，配置于该绝缘层内而电性连接于该些第一电极与该些磁穿隧接面单元之间。

5.如权利要求1所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，该穿隧磁阻元件为一条状磁穿隧接面单元，且该绝缘层具有一第一开口，该条状磁穿隧接面单元填于该第一开口内，而该些第一电极系配置于该绝缘层上而直接与该条状磁穿隧接面单元电性接触。

6.如权利要求1所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，更包括多个第一接触插塞，配置于该绝缘层中，而该穿隧磁阻元件为一条状磁穿隧接面单元，各该第一接触插塞系电性连接于该条状磁穿隧接面单元与其所对应的该第一电极之间。

7.如权利要求1所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，该磁穿隧接面单元包括：

一钉扎层；

一自由层；以及

一穿隧层，配置于该自由层与该钉扎层之间。

8.一种穿隧式磁阻传感器，其特征在于，包括：

一基板；

一绝缘层，配置于该基板上方；

一第一电极阵列，包括多个第一电极，该些第一电极彼此间隔地嵌于该绝缘层中；以及

一穿隧磁阻元件，配置于该第一电极阵列上方，并电性连接至该第一电极阵列。

9.如权利要求8所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，该穿隧磁阻元件包括多个磁穿隧接面单元，彼此间隔地排列于该绝缘层上，且各该磁穿隧接面单元分别电性连接至两相邻的该些第一电极。

10.如权利要求9所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，该绝缘层具有多个第一开口，各该第一电极分别填于其所对应的该第一开口内，且各该磁穿隧接面单元系直接与其所对应的两相邻的该些第一电极电性接触。

11.如权利要求9所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，更包括多个第一接触插塞，配置于该绝缘层内，并分别电性连接于其所对应的该第一电极与该磁穿隧接面单元之间。

12.如权利要求8所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，该穿隧磁阻元件为一条状磁穿隧接面单元，且该绝缘层具有多个第一开口，各该第一电极分别填于其所对应的该第一开口内，而该条状磁穿隧接面单元系配置于该绝缘层上而直接与该些第一电极电性接触。

13.如权利要求12所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，更包括一第二电极阵列，排列于该条状磁穿隧接面单元上，该第二电极阵列包括多个第二电极，且该些第二电极系与该些第一电极彼此交错，并电性连接至该条状磁穿隧接面单元。

14.如权利要求8所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，更包括多个第一接触插塞，配置于该绝缘层内，而该穿隧磁阻元件为一条状磁穿隧接面单元，各该第一电极分别通过两相邻的该些第一接触插塞而电性连接至该条状磁穿隧接面单元。

15.如权利要求14所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，更包括：

一第二电极阵列，配置于该绝缘层上，并包括多个第二电极，且该条状磁穿隧接面单元配置于该绝缘层中并位于该第一电极阵列与该第二电极阵列之间；以及

多个第二接触插塞，配置于该绝缘层内，并且分别电性连接于其所对应的该第二电极与该条状磁穿隧接面单元之间，其中各该第二电极分别通过两相邻的该些第二接触插塞而电性连接至该条状磁穿隧接面单元。

16.如权利要求8所述的穿隧式磁阻传感器，其特征在于，该磁穿隧接面单元包括：

一自由层；

一钉扎层；以及

一穿隧层，配置于该自由层与该钉扎层之间。