[发明专利]简化存储器后仿网表来实现大容量存储器仿真的方法有效
| 申请号： | 201110344192.4 | 申请日： | 2011-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN103093016A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 黄慧娟;潘炯;杨光华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种简化存储器后仿网表来实现大容量存储器仿真的方法，包括：1)制定关键路径，生成关键路径的网表；2)在Memory gds上对全局连线进行标注，并从中抽取含全局连线寄生信息的网表；3)利用含全局连线寄生信息的网表，对关键路径网表进行电容及负载的反标；4)抽取Memory gds中全局连线的电阻信息；5)对关键路径网表，进行电阻的反标及∏形网络的处理；6)将完成的新简化网表用于仿真。本发明在保证仿真精度的前提下，最大程度压缩了网表大小，从而大大提高仿真的速度，使得大SRAM的仿真成为可能，并降低软件仿真难度。 | ||
| 搜索关键词： | 简化 存储器 后仿网表来 实现 容量 仿真 方法 | ||
【主权项】：
一种简化存储器后仿网表来实现大容量存储器仿真的方法，其特征在于，包括步骤：1)制定关键路径，生成关键路径的网表；2)在Memory gds上对全局连线进行标注，并从中抽取含全局连线寄生信息的网表；3)利用含全局连线寄生信息的网表，对关键路径网表进行电容及负载的反标；4)抽取Memory gds中全局连线的电阻信息；5)对关键路径网表，进行电阻的反标及∏形网络的处理；6)将完成的新简化网表用于仿真。
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