[发明专利]成膜装置有效
| 申请号： | 201110338976.6 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102543795A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 柿本明修;小森克彦;长谷部一秀 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/44;C23C16/24 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种成膜装置，其包括用于供给氨基硅烷类气体的供给机构及用于供给不包含氨基的硅烷类气体的供给机构，并且在一个处理室内依次执行下述处理，即，供给氨基硅烷类气体而在具有到达导电体的开孔的绝缘膜的表面及上述开孔的底部的表面上形成晶种层的处理，以及供给不包含氨基的硅烷类气体而在晶种层上形成硅膜的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
【主权项】：
一种成膜装置，其能够用于填充被形成在绝缘膜中的、到达导电体的开孔，其特征在于，其包括：一个处理室，其用于容纳被处理体，该被处理体在上述导电体上形成有具有到达该导电体的开孔的绝缘膜；气体供给机构，其用于向上述处理室内供给氨基硅烷类气体及不包含氨基的硅烷类气体，在上述一个处理室内依次执行下述处理：(1)向上述处理室内供给上述氨基硅烷类气体而在具有到达上述导电体的开孔的绝缘膜的表面及上述开孔的底部的表面上形成晶种层的处理；(2)向上述处理室内供给上述不包含氨基的硅烷类气体而在上述晶种层之上形成硅膜的处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
