[发明专利]一种级联GaN基LED外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201110336758.9 | 申请日： | 2011-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN103022286A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 肖志国;李倩影;武胜利;杨天鹏;唐勇;孙英博;薛念亮 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种级联GaN基LED外延片及其制备方法。此外延片结构包括用隧道结级联的多个量子阱结构，其中隧道结采用具有禁带宽度小、较低电离、低的扩散系数等特性的材料；量子阱选择的材料是III-V族化合物。该GaN基LED外延片的结构在衬底上利用MOCVD从下至上依次生长低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、隧道结、多量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和高掺杂p型氮化镓电极接触层。此多极级联式结构优点在于：由于隧道结的遂穿作用，注入的每一对电子-空穴可以在多个有源区中发生多次复合，产生多个光子，提高LED的量子效率，使LED的亮度增强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 级联 gan led 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种级联GaN基LED外延片，其结构包括衬底、低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和高掺杂p型氮化镓电极接触层，其特征在于在n型氮化镓层和p型铝镓氮层之间还生长有N个多量子阱层，N≥2，相邻两个量子阱层之间生长有GaN隧道结，其厚度小于等于10nm。
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