[发明专利]一种片内集成低噪声放大器

摘要

一种片内集成低噪声放大器，涉及到集成电路领域中的芯片设计技术，该低噪声放大器应用于接收器的射频前端。本发明的电路分为信号输入网络、放大器部分和噪声抵消部分，在915MHz频率处可实现全集成。本发明采用了电压并联负反馈结构作为输入阻抗网络匹配的一部分，具有低输入阻抗特性，便于调节阻抗匹配，电路中结合了低噪声放大器的噪声抵消技术，短沟道器件的低输出阻抗特性及窄带低噪声放大器良好的选频特性设计而成，电路中采用的电感数目少，减小了芯片面积，便于集成化，降低了成本，是一种理想的集成低噪声放大器。

主权项

一种片内集成低噪声放大器，该电路包括第一级信号输入级和第二级信号噪声抵消部分，同时两级均具有放大信号的功能，其特征在于：所述的信号输入级和信号噪声抵消部分集成在同一硅片上；所述的第一级信号输入级采用了电压并联负反馈结构作为输入阻抗匹配网络，同时具有放大信号功能，该结构由L1、C1、L2、CC、MN0、MP0、RF组成，用于与天线匹配以及实现放大信号功能，其中符号L为电感，C为电容，R为电阻，MN0为NMOS晶体管，MP0为PMOS晶体管；所述的第二级由C0、R1、MN1、MN2、MN3、MN4组成，用于实现噪声抵消以及信号放大功能，在电路第二级中有两条信号支路，一条为晶体管MN3构成的源跟随器，用来缓冲第一级的输出信号，另一条为经过共源共栅结构(MN1和MN2)的反向放大，两条支路对输入信号的放大作用在输出端口叠加，同时，两条支路对匹配晶体管MN0和MP0沟道噪声起着一定的抵消作用；电路连接关系如下：输入信号经过由L1、C1、L2、CC、MN0、MP0、RF组成的匹配网络后输出，同时MN0、MP0、RF对信号起放大作用，所输出的信号进入第二级后经过MN3构成的源跟随器，与由MN1和MN2构成的共源共栅结构共同实现了噪声抵消功能。