[发明专利]一种低应力钽氮薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201110327938.0 | 申请日： | 2011-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102361006A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 林宏 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可用作栅电极且厚度均匀的低应力钽氮薄膜的制备方法，结合低应力钽氮成膜工艺和物理反刻工艺，在保证成膜工艺和反刻工艺的等离子体的水平分布一致或接近的前提下，钽氮薄膜片内均匀性得到有效控制。能够获得小于600MPa的低膜应力，且适用于高介电常数介质/金属栅极(High-k/Metal Gate)技术中Gate-first工艺集成方案的栅电极的低应力钽氮薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低应力钽氮薄膜的制备方法，包括：将钽靶与待沉积晶圆分别放置于制备设备的阴极和阳极；采用PVD沉积技术，通入氩气和氮气，在待沉积晶圆和钽靶之间施加直流电压信号，并在所述待沉积晶圆的背面附加第一交流电压信号，以在所述晶圆表面沉积钽氮薄膜；采用物理反刻蚀法，通入氩气，在所述晶圆上方施加交流离化源信号，并在所述待沉积晶圆的背面附加第二交流电压信号，对所述钽氮薄膜进行刻蚀，以形成厚度均匀的低应力钽氮薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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