[发明专利]用于薄膜太阳能电池的元素掺杂方法及薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201110322862.2 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103065949A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 梅芳;赵军 | 申请（专利权）人： | 上方能源技术（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;H01L31/04 |
| 代理公司： | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人： | 赵卫康 |
| 地址： | 311215 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及光电领域，尤其涉及一种用于薄膜太阳能电池的元素掺杂方法及通过该方法制得的薄膜太阳能电池。用于薄膜太阳能电池的元素掺杂方法，其在待掺杂的膜层表面放置含掺杂元素的粉末，使所述待掺杂的膜层的温度达到150～300℃并保持1～30min，然后移除剩余在所述待掺杂的膜层表面的所述粉末。用薄膜太阳能电池的元素掺杂方法制备的薄膜太阳能电池，包括玻璃基板、透明导电氧化物层、窗口层、吸光层和背电极层，其特点是所述吸光层表面和内部被掺杂所述元素。本发明可实现对掺杂量的有效控制，从而提高电池的开路电压,短路电流和填充因子,并且提高电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 薄膜 太阳能电池 元素 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
用于薄膜太阳能电池的元素掺杂方法，其特征在于：在待掺杂的膜层表面放置含掺杂元素的粉末，使所述待掺杂的膜层的温度达到150～300℃并保持1～30min，然后移除剩余在所述待掺杂的膜层表面的所述粉末。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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