[发明专利]一种Al掺杂的氧化锌薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201110309265.6 | 申请日： | 2011-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102368502A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 刘永生;彭麟;杨晶晶;房文健;方津 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及Al掺杂的氧化锌薄膜及其制备方法。通过脉冲激光沉积的方法制备的Al掺杂的氧化锌薄膜具有良好的c轴外延生长结构，表面质量较好，厚度为430nm。本发明的Al掺杂的氧化锌薄膜由于制备过程中引入了一层非晶SiO2过渡层既能够减小薄膜和Si衬底由于晶格失配而产生的应力，又能有效减少Si表面态的影响，从而改善Al掺杂的氧化锌薄膜的微结构和透明导电性能。另外，由于Al掺杂的氧化锌薄膜中Al的掺入所形成的缺陷对载流子的俘获与ZO薄膜相比更有效，Al原子的引入改变了电荷载流子俘获的途径，且在很大程度上将会降低激发态的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 al 掺杂 氧化锌 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Al掺杂的氧化锌薄膜，其特征在于其中Al、Zn元素的摩尔比即Al:Zn为0.02～0.03:1，薄膜厚为430 nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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