[发明专利]光电元件及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种光电元件，包含：一背电极；一透明前电极；一p-型半导体层，设于该背电极与该透明前电极之间，且由一第一半导体化合物所构成，该p-型半导体层具有一在其厚度方向上均匀的M1/M2原子比；及一n-型层结构，设于该p-型半导体层与该透明前电极之间，与该p-型半导体层共同形成一p-n接面，且具有一n-型半导体层。该n-型半导体层是由一第二半导体化合物所构成，且具有一在其厚度方向上均匀的M3/M4原子比。该M3/M4原子比大于0.1且小于0.9。

主权项

一种光电元件，其特征在于其包含：一背电极；一透明前电极；一p‑型半导体层，设于该背电极与该透明前电极之间，且由一第一半导体化合物所构成，该第一半导体化合物包括M1、M2及A1，该M1是选自于Cu、Au、Ag、Na、Li、K或此等的一组合，该M2是选自于In、Ga、Al、Ti、Zn、Cd、Sn、Mg或此等的一组合，及该A1是选自于S、Se、Te或此等的一组合，该p‑型半导体层具有一在其厚度方向上均匀的M1/M2原子比；及一n‑型层结构，设于该p‑型半导体层与该透明前电极之间，与该p‑型半导体层共同形成一p‑n接面，且具有一n‑型半导体层；该n‑型半导体层是由一第二半导体化合物所构成，该第二半导体化合物包括M3、M4及A2，该M3是选自于Cu、Au、Ag、Na、Li、K或此等的一组合，该M4是选自于In、Ga、Al、Ti、Zn、Cd、Sn、Mg或此等的一组合，及该A2是选自于S、Se、Te或此等的一组合，该n‑型半导体层具有一在其厚度方向上均匀的M3/M4原子比，该M3/M4原子比小于M1/M2原子比且大于0.1而小于0.9。