[发明专利]影像传感器结构无效
| 申请号： | 201110305668.3 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102593135A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张宇轩;金起弘;吴扬 | 申请（专利权）人： | 英属开曼群岛商恒景科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种影像传感器结构，包含：像素；第一金属线；第二金属线，位于该第一金属线之下；至少一虚设通孔，位于该第一金属线和该第二金属线之间，其中该第一金属线和该第二金属线未透过该通孔而彼此电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 影像 传感器 结构 | ||
【主权项】：
一种影像传感器结构，包含：像素；第一金属线；第二金属线，位于所述第一金属线之下；至少一虚设通孔，位于所述第一金属线和所述第二金属线之间，其中所述第一金属线和所述第二金属线未透过所述通孔而彼此电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
