[发明专利]离子注入方法和离子注入装置有效
| 申请号： | 201110303446.8 | 申请日： | 2011-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102629543A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 浅井博文;桥野义和 | 申请（专利权）人： | 日新离子机器株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 周善来;李雪春 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供离子注入方法和离子注入装置。该离子注入方法可以不受在基板面内形成的不均匀剂量分布的形状的限制，使作为不希望具有的剂量分布的过渡区域变小，并且可以缩短离子注入处理所需要的时间。该离子注入方法通过改变离子束(3)和基板(11)的相对位置关系，向基板(11)注入离子。而且，按照事先确定的顺序进行第一离子注入处理和第二离子注入处理，该第一离子注入处理在基板(11)上形成均匀的剂量分布，该第二离子注入处理在基板(11)上形成不均匀的剂量分布，并且在进行第二离子注入处理时向基板(11)上照射的离子束(3)的断面尺寸比在进行第一离子注入处理时向基板(11)上照射的离子束(3)的断面尺寸小。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种离子注入方法，通过改变离子束和基板的相对位置关系，向所述基板注入离子，其特征在于，所述离子注入方法按照事先确定的顺序进行第一离子注入处理和第二离子注入处理，所述第一离子注入处理在所述基板面内形成均匀的剂量分布，所述第二离子注入处理在所述基板面内形成不均匀的剂量分布，并且在进行所述第二离子注入处理时向所述基板上照射的所述离子束的断面尺寸比在进行所述第一离子注入处理时向所述基板上照射的所述离子束的断面尺寸小。
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