[发明专利]一种铜表面预处理的方法无效
| 申请号： | 201110298919.X | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102446831A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 徐强;张文广;郑春生;陈玉文 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种铜表面预处理的方法，通过采用高低频射频混合电源，并相应增加等离子反应中NH3的相对浓度，及降低反应环境的压力，使得在较低的反应压力下，对应于较长的平均自由程，从而等离子体中离子加速时间相对较长，离子速度较高，即去除氧化铜能力较强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 预处理 方法 | ||
【主权项】：
一种铜表面预处理的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：于基底上形成具有铜互连线结构的双大马士革结构； 步骤S2：采用包含NH3/N2的混合气体的等离子体去除铜互连线上被氧化生成的氧化层；步骤S4：淀积介质阻挡层覆盖双大马士革结构；其中，采用高低频电源混合进行步骤S2的反应，且其反应环境中压力为2‑3Torr，包含NH3/N2的混合气体中NH3的体积比为2％‑50％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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