[发明专利]一种利用胶态硅纳米颗粒对硅片进行掺杂的方法有效
| 申请号： | 201110298670.2 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102347223A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 皮孝东;高煜;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/225 | 分类号： | H01L21/225;C30B31/02 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用胶态硅纳米颗粒对硅片进行掺杂的方法，包括以下步骤：对掺杂的纳米硅颗粒表面进行修饰，将表面经过修饰的硅颗粒分散在溶剂中，制得胶态硅纳米颗粒；使胶态硅纳米颗粒在表面经过去污和氧化层去除预处理的硅片上成膜，先在200-500℃下首次热处理5-60分钟，随后在750-1100℃、在含氧气氛下再次热处理30-120分钟，在硅片的近表面形成掺杂层。本发明所选原料中硅元素在地壳里的含量非常大，易得、无毒。同时，胶态硅纳米颗粒的应用使对硅片掺杂的工艺简化，能简便的实现选区掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 胶态硅 纳米 颗粒 硅片 进行 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种利用胶态硅纳米颗粒对硅片进行掺杂的方法，其特征在于，包括以下步骤：对掺杂的纳米硅颗粒表面进行修饰，将表面经过修饰的硅颗粒分散在溶剂中，制得胶态硅纳米颗粒；使胶态硅纳米颗粒在表面经过去污和氧化层去除预处理的硅片上成膜，先在200‑500℃下首次热处理5‑60分钟，随后在750‑1100℃、在含氧气氛下再次热处理30‑120分钟，在硅片的近表面形成掺杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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