[发明专利]晶圆弯曲度测算方法有效
| 申请号： | 201110296332.5 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102394225A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 傅荣颢;刘玮荪 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B21/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了Wafer Bow测算方法，以在减薄工艺前就测算出Wafer Bow，避免减薄工艺完成后才发现Wafer Bow不符合要求带来的各类损失。本发明提供的一种Wafer Bow测算方法，包括步骤：获得减薄前Wafer的曲面半径R0及减薄后wafer的计划厚度T；根据所述曲面半径R0和计划厚度T，计算出减薄后wafer的Wafer Bow为t1，该计算所采用的模型为：t1＝[R0T2-(R02T4-r2T04)1/2]/T02+C(T0/T)1.58，其中T0为减薄前晶圆厚度，r为晶圆半径，C为减薄前由晶圆重力而产生的晶圆弯曲度。 | ||
| 搜索关键词： | 弯曲 测算 方法 | ||
【主权项】：
一种Wafer Bow测算方法，其特征在于，包括步骤：获得减薄前Wafer的曲面半径R0及减薄后wafer的计划厚度T；根据所述曲面半径R0和计划厚度T，计算出减薄后wafer的Wafer Bow为t1，该计算所采用的模型为：t1＝[R0T2‑(R02T4‑r2T04)1/2]/T02+C(T0/T)1.58，其中T0为减薄前晶圆厚度，r为晶圆半径，C为减薄前由晶圆重力而产生的晶圆弯曲度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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