[发明专利]在4H/6H-SiC碳面外延生长晶圆级石墨烯的方法无效
| 申请号： | 201110293631.3 | 申请日： | 2011-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN102502592A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张玉明;王党朝;王航;雷天民;张义门;王悦湖;汤晓燕;雷军 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种在4H/6H-SiC |
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| 搜索关键词： | sic 外延 生长 晶圆级 石墨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在4H/6H-SiC碳面外延生长晶圆级石墨烯的方法，包括如下过程：1)对4H/6H-SiC![]()
碳面进行表面清洁处理；2)将清洁处理后的4H/6H-SiC样品放置在CVD炉腔中，通入流量为50～70l/min的氢气，升温至1550～1650℃，在压力为0.9～1.1bar下保持50～70分钟，完成氢刻蚀过程，以去除样品表面划痕，形成规则的台阶状条纹；3)将氢刻蚀后的4H/6H-SiC样品，在CVD炉腔中降温至950～1050℃，通入流量为15～25l/min的氢气，保持6～10分钟；继续降温至840～860℃，通入流量为0.5ml/min的硅烷，保持5～15分钟，以去除衬底表面所产生的氧化物；4)将去除表面氧化物的4H/6H-SiC样品，在CVD炉腔中，继续通入流量为1～3l/min，压力为2～6mbar的氩气，升温至1590～1610℃，持续80～120分钟，完成晶圆级外延石墨烯的生长。
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