[发明专利]倒装式LED无效
申请号: | 201110290553.1 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN102376862A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 顾燕萍 | 申请(专利权)人: | 苏州承源光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60;H01L33/48 |
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地址: | 215200 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种倒装式LED,包括由衬底、N型外延层、P型外延层组成的LED裸芯片,还包括硅衬底,所述N型外延层、P型外延层分别通过两个金属焊脚倒装焊接在两个分离的电极金属层上,所述电极金属层的外表面为反光面,所述硅衬底的上表面中部向下凹陷,所述电极金属层覆盖于所述硅衬底凹陷部的底面和四周,所述电极金属层与硅衬底之间设有将电极金属层与硅衬底隔离的隔离层,所述硅衬底凹陷部的底部为水平面,凹陷部的四周为球面,所述LED裸芯片衬底的最高点低于所述硅衬底凹陷部的最高点。本发明使得LED的发出光的利用率高,并且正面中心部分的发光强度极高。 | ||
搜索关键词: | 倒装 led | ||
【主权项】:
一种倒装式LED,包括由衬底(11)、N型外延层(12)、P型外延层(13)组成的LED裸芯片,还包括硅衬底(2),所述N型外延层(12)、P型外延层(13)分别通过两个金属焊脚(31、32)倒装焊接在两个分离的电极金属层(41、42)上,所述电极金属层(41、42)的外表面为反光面,所述硅衬底(2)的上表面中部向下凹陷,所述电极金属层(41、42)覆盖于所述硅衬底(2)凹陷部的底面和四周,所述电极金属层(41、42)与硅衬底(2)之间设有将电极金属层(41、42)与硅衬底(2)隔离的隔离层(51、52),其特征在于:所述硅衬底(2)凹陷部的底部为水平面,凹陷部的四周为球面,所述LED裸芯片衬底(11)的最高点低于所述硅衬底(2)凹陷部的最高点。
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