[发明专利]原位直立生长的钛钨合金氧化物纳米管电极及制法和应用无效
申请号: | 201110280368.4 | 申请日: | 2011-09-20 |
公开(公告)号: | CN103011346A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 赵国华;李明芳;田弘毅;刘梅川 | 申请(专利权)人: | 同济大学 |
主分类号: | C02F1/46 | 分类号: | C02F1/46;C02F1/32;C02F1/72;C25D11/26;C02F103/30 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 蒋亮珠 |
地址: | 200092 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种原位直立生长的钛钨合金氧化物纳米管电极及制法和应用,该电极可应用于高效光电催化氧化降解高浓度有机污染物。利用氩弧熔融法制备得到化学成分均匀的钛钨(Ti-3W)合金,在含F-的乙二醇溶液中用电化学阳极化法原位生成含有TiO2和WO3的高度有序Ti-W-O纳米管阵列。与传统的钨离子掺杂TiO2纳米管和以TiO2为基础的钛钨氧化物复合膜相比,本发明制备的钛钨合金氧化物纳米管阵列具有更均匀的掺杂物分布、更大的比表面积、更高的稳定性,以及更高的光电催化性能。本发明可广泛应用于高浓度偶氮染料污染物降解的研究,具有较大的环境经济效益。 | ||
搜索关键词: | 原位 直立 生长 合金 氧化物 纳米 电极 制法 应用 | ||
【主权项】:
一种原位直立生长的钛钨合金氧化物纳米管电极,其特征在于,该电极为在钛钨合金基底上原位直立生长的高度有序的二元氧化物纳米管阵列,具有较强的紫外光吸收能力、较高的光电催化活性。
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