[发明专利]一种在低温下制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法

摘要

本发明公开了一种在低温下制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法，涉及薄膜电极技术，先将纳米金属氧化物配置成溶胶，再将溶胶滴加在一个导电材料的表面。纳米金属氧化物经过低温煅烧后，在导电材料的表面形成一个致密且光滑的薄膜，得到半导体薄膜电极。通过对纳米金属氧化物溶胶浓度、体积和其中表面活性剂浓度的调节，可对半导体薄膜的厚度、表面粗糙度进行控制。通过对煅烧温度的调节，可优化半导体薄膜稳定性和光电性能。本发明方法采用较低的薄膜煅烧温度，可在塑料等耐热性较差的基底材料上加工半导体薄膜电极，适合一次性使用电极和微孔板式电极的制备，得到的纳米半导体薄膜电极可用于光电池、光催化降解、光电生物传感器等领域。

主权项

一种在低温下制备纳米金属氧化物半导体薄膜电极的方法，其特征在于，包括步骤：1)将金属氧化物纳米材料放入去离子水中，加入非离子型表面活性剂，超声震荡9‑11分钟，得到金属氧化物溶胶；2)选择表面光滑的平面导电材料，并先后用有机溶剂和纯水超声清洗，备用；3)取一定体积的金属氧化物溶胶，滴加在2)步中处理的导体材料表面，使之均匀涂覆，并自然晾干；4)将金属氧化物覆盖的导体材料放入马弗炉中，在低温下煅烧≥2小时，得到纳米金属氧化物半导体薄膜电极。