[发明专利]一种降低接触孔电阻的接触孔形成方法

摘要

本发明公开了一种降低电阻的接触孔形成方法，其通过采用湿法刻蚀去除接触孔上部的钨栓和接触孔阻挡层，降低了钨栓和接触孔阻挡层的高度，并用金属铜和铜阻挡层进行替代，因为金属铜与钨栓相比具有较低的电阻值，因而可以达到有效降低接触孔的接触电阻的目的，进而提高了半导体器件性能，工艺过程简单易控制。

主权项

一种降低接触电阻的接触孔形成方法，其特征在于，包括以下的步骤：步骤S1：提供一硅衬底，所述硅衬底上形成有接触有源区的金属硅化物，在所述硅衬底上从下至上依次淀积有刻蚀阻挡层和氧化物层，其中，在刻蚀阻挡层和氧化物层中形成有在竖直方向上贯穿的接触孔；步骤S2：在氧化物层之上以及接触孔的侧壁和底部淀积一层接触孔阻挡层，并生长金属钨，对所淀积的接触孔阻挡层和金属钨进行化学近些研磨，暴露出氧化物层，使得金属钨仅填充在接触孔中，且金属钨的上表面与氧化物层的上表面保持水平；步骤S3：进行湿法刻蚀，去除接触孔上部的接触孔阻挡层和金属钨，形成钨栓；步骤S4：在氧化物层之上和接触孔上部的侧壁和底部淀积一第一铜阻挡层，并采用电化学镀ECP工艺生长金属铜，并对第一铜阻挡层和金属铜进行化学机械研磨工艺，暴露出氧化物层，使得金属铜的上表面与氧化物层的上表面保持水平；步骤S5：在氧化物层之上淀积一层阻挡层，且阻挡层也同时覆盖金属铜和第一铜阻挡层，再在阻挡层之上依次淀积一低介电常数介质层和一低介电常数覆盖层；步骤S6：依次刻蚀低介电常数覆盖层、低介电常数介质层和阻挡层，形成竖直方向上贯穿低介电常数覆盖层、低介电常数介质层和阻挡层的沟槽；步骤S7：在低介电常数覆盖层之上以及沟槽的侧壁和底部生长一层第二铜阻挡层，并采用电化学镀ECP工艺生长金属铜；步骤S8：对步骤S7中淀积的第二金属阻挡层和金属铜进行化学机械研磨，暴露出低介电常数覆盖层，使得金属铜的上表面与低介电常数覆盖层的上表面保持水平。