[发明专利]一种在晶圆上漏印制作微米凸点的工艺有效
| 申请号： | 201110262558.3 | 申请日： | 2011-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102315139A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 周海;朱海峰;姜伟;刘帅洪 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B41M1/12;B41M1/26 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710054 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在晶圆上漏印制作微米凸点的工艺，包括如下步骤：画图制版、制作焊膏漏印板、对焊膏漏印板、印刷焊膏、检验、焊接、清洗和检测。本工艺技术采用漏印工艺方法，实现了直径150微米、高度200微米以及间距250微米的小尺寸凸点的制作。工艺一致性好，流程简单、生产效率高、成本低廉、适于大批量生产。漏印的BGA凸点高度容差小于3.0μm，线性一致性小于5μm，剪切强度、接触电阻等指标均满足可靠性要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆上漏 印制 微米 工艺 | ||
【主权项】：
一种在晶圆上漏印制作微米凸点的工艺，其特征在于，包括如下步骤：画图制版、制作焊膏漏印板、对焊膏漏印板、印刷焊膏、检验、焊接、清洗和检测。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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