[发明专利]以非NVM区内的同时蚀刻来图形化非易失性存储器的栅极叠层

摘要

本发明公开了以非NVM区内的同时地蚀刻来图形化非易失性存储器的栅极叠层。一种在具有NVM区(82)和不与NVM区重叠的非NVM区(80)的衬底(84)之上形成非易失性存储器(NVM)的栅极叠层的方法包括在NVM区和非NVM区内的衬底之上形成选择栅极层(92)；同时地蚀刻在NVM区和非NVM区内的选择栅极层；在NVM区和非NVM区内的衬底之上形成电荷存储层(96)；在NVM区和非NVM区内的电荷存储层(96)之上形成控制栅极层(98)；以及同时地蚀刻在NVM区和非NVM区内的电荷存储层。对NVM区内的选择栅极层的蚀刻产生了电荷存储层的在选择栅极层的一部分之上并叠盖选择栅极层的侧壁的部分，并且产生了控制电极层的在电池存储层的一部分之上的部分。

主权项

一种用于在半导体衬底之上形成非易失性存储器(NVM)的栅极叠层的方法，所述半导体衬底具有NVM区和不与所述NVM区重叠的非NVM区，所述方法包括以下步骤：在所述NVM区和所述非NVM区内的所述衬底之上形成选择栅极层；同时地蚀刻所述NVM区内的所述选择栅极层和所述非NVM区内的所述选择栅极层，其中对所述NVM区内的所述选择栅极层的所述蚀刻产生所述选择栅极层的保留于所述NVM区内的第一部分；在所述NVM区和所述非NVM区内的所述衬底之上形成电荷存储层，其中所述电荷存储层形成于所述选择栅极层的所述第一部分之上；在所述NVM区和所述非NVM区内的所述电荷存储层之上形成控制栅极层；同时地蚀刻在所述NVM区和所述非NVM区内的所述控制栅极层；同时地蚀刻在所述NVM区和所述非NVM区内的所述电荷存储层，其中对所述NVM区内的所述选择栅极层的所述蚀刻产生所述电荷存储层的在所述选择栅极层的所述第一部分之上并叠盖所述选择栅极层的所述第一部分的侧壁的部分，并且产生所述控制栅极层的在所述电荷存储层的所述部分之上的部分；以及使用所述选择栅极层的所述第一部分、所述电荷存储层的所述部分和所述控制栅极层的所述部分来形成分裂栅极器件。