[发明专利]一种在一体化氧化膜刻蚀工艺中去胶的工艺方法

摘要

本发明一种在一体化氧化膜刻蚀工艺中去胶的工艺方法，其中，包括步骤：步骤一，在反应腔室中对硅片表面的光刻胶进行移除之前，先在反应腔室内注入高压态反应气体，利用所注入的高压态反应气体去除在反应腔室表面吸附的铜聚合物；步骤二，在反应腔室中注入低压态反应气体，利用低压态反应气体移去覆盖在硅片表面的光刻胶；步骤三，在通孔和沟槽内填充金属材料；使用本发明一种在一体化氧化膜刻蚀工艺中去胶的工艺方法，有效的通过除去反应腔室表面吸附的铜聚合物用于使反应腔室的电容状态及刻蚀速率保持稳定，避免过多的蚀刻位于沟槽下方的氧化层，从而提高沟槽内填充金属材料的金属电阻率的稳定性。

主权项

一种在一体化氧化膜刻蚀工艺中去胶的工艺方法，其中，在硅片所包含的底层介质层中形成有金属互连线，底层介质层之上依次覆盖有刻蚀阻挡层和氧化层，并在氧化层中形成沟槽，及在氧化层的位于沟槽下方的区域中形成有通孔，所述通孔贯穿刻蚀阻挡层并与金属互连线接触，其特征在于，包括以下工艺步骤：步骤一，在反应腔室中对硅片表面的光刻胶进行移除之前，先在反应腔室内注入高压态反应气体，利用所注入的高压态反应气体去除在反应腔室表面吸附的铜聚合物； 步骤二，在反应腔室中注入低压态反应气体，利用低压态反应气体移去覆盖在硅片表面的光刻胶；步骤三，在所述通孔和沟槽内填充金属材料；其中，在刻蚀氧化层形成沟槽的过程中，除去反应腔室表面吸附的铜聚合物用于使反应腔室的电容状态及刻蚀速率保持稳定，避免过多的蚀刻位于所述沟槽下方的氧化层，从而提高沟槽内填充金属材料的金属电阻率的稳定性。