[发明专利]一种碲化铋基热电材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110242610.9 | 申请日： | 2011-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102403445A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 陈玲;吴立明;陈红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种碲化铋基热电材料Bi38-x(InSb)xTe62及其制备方法，属于无机材料领域。本发明采用一步合成法进行合成。合成条件：在780℃反应2至3天，然后缓慢降温至530℃即获得。本发明中，化合物Bi38-x(InSb)xTe62的特征在于铋碲中碲的名义成分为62%，并在铋位掺杂了少量的In和Sb，其中0.6≤x≤0.8。本发明的优点是：制备方法简单——传统简单的固熔和掺杂方法，直接得到具有高致密度的块体材料，且本发明得到的热电材料Bi38-δ(InSb)δTe62的ZT值在323K时可达到1.108。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化铋基 热电 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含InSb元素的铋碲基热电材料Bi38‑x(InSb)xTe62，其特征在于：铋位电子组态为6s26p3，In的电子组态为5s25p1，Sb电子组态为5s25p3；铋位掺杂了少量不同电负性，不同价电子数的In和Sb；(BiInSb) ：Te的名义摩尔比例为38 ：62。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所，未经中国科学院福建物质结构研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110242610.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
