[发明专利]一种镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器及其应用有效
申请号: | 201110236278.5 | 申请日: | 2011-08-17 |
公开(公告)号: | CN102294445A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 罗天骄;杨院生;冯小辉;李应举;付俊伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | B22D11/055 | 分类号: | B22D11/055;B22D11/049 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明属于金属材料制备领域,具体涉及一种镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器及其应用。结晶器外壳的顶部设置结晶器上盖,结晶器外壳和结晶器上盖的中心孔位置设有结晶器内套,结晶器外壳和结晶器上盖之间形成冷却水槽,冷却水槽中设置励磁线圈,结晶器外壳的外侧设置与冷却水槽相通的进水口,结晶器内套上开有与冷却水槽相通的二次冷却水喷孔。结晶器外壳和上盖为不锈钢,结晶器内套为4XXX系铝合金,且结晶器内套的上口高出上盖上表面,上口和下口间呈喇叭状。本发明用于镁合金的半连续铸造,利用其产生的脉冲电磁力作用于结晶器内部镁合金熔体,使熔体产生强制对流,碎化粗大枝晶,增加形核率,镁合金半连续铸棒晶粒细化效果明显。 | ||
搜索关键词: | 一种 镁合金 低频 脉冲 磁场 辅助 连续 铸造 结晶器 及其 应用 | ||
【主权项】:
一种镁合金低频脉冲磁场辅助半连续铸造结晶器,其特征在于,该结晶器设有:结晶器外壳(1)、结晶器上盖(2)、结晶器内套(3)、励磁线圈(4)、进水口(5)、二次冷却水喷孔(6),具体结构如下:结晶器外壳(1)的顶部设置结晶器上盖(2),结晶器外壳(1)和结晶器上盖(2)的中心孔位置设有结晶器内套(3),结晶器外壳(1)和结晶器上盖(2)之间形成冷却水槽,冷却水槽中设置励磁线圈(4),结晶器外壳(1)的外侧设置与冷却水槽相通的进水口(5),结晶器内套(3)上开有与冷却水槽相通的二次冷却水喷孔(6)。
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