[发明专利]植入式光电极采集调控装置有效

专利信息
申请号: 201110234806.3 申请日: 2011-08-16
公开(公告)号: CN102380170A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 鲁艺;王立平;李艳玲;蔚鹏飞;刘楠 申请(专利权)人: 中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: A61N5/067 分类号: A61N5/067;A61B5/04;A61B5/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 吴平
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种植入式光电极采集调控装置,包括中央处理单元、位移调节单元及光电极采集调控单元;中央处理单元用于控制位移调节单元及光电极采集调控单元;位移调节单元用于调节光电极采集调控单元的植入深度;光电极采集调控单元用于对植入部位进行光调控及生理信号的采集,并将采集的生理信号反馈至中央处理单元。该植入式光电极采集调控装置将电极单元与光纤单元结合在一起构成光电极阵列,并且利用位移调节单元分别对电极单元和光纤单元进行操控,根据生物体内环境,调节二者植入的深度及位置,灵活度高,可以实现对植入部位更加精确、有效、高空间分辨率和长期的光调控和电生理记录,满足对神经系统和精神疾病的研究和治疗的要求。
搜索关键词: 植入 电极 采集 调控 装置
【主权项】:
一种植入式光电极采集调控装置,其特征在于,包括中央处理单元、位移调节单元及光电极采集调控单元;所述中央处理单元与所述位移调节单元及所述光电极采集调控单元相连,用于控制所述位移调节单元及所述光电极采集调控单元;所述位移调节单元与所述光电极采集调控单元相连,用于调节所述光电极采集调控单元的植入深度;所述光电极采集调控单元用于对植入部位进行光调控及生理信号的采集,并将采集的生理信号反馈至所述中央处理单元。
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