[发明专利]一种CVD反应腔体的清洁方法和系统无效
| 申请号： | 201110227403.6 | 申请日： | 2011-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN102925874A | 公开（公告）日： | 2013-02-13 |
| 发明（设计）人： | 朱晓军 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CVD反应腔体的清洁方法和系统，包括：将置于隔离片腔体内的隔离片转移至反应腔体内，并将隔离片覆盖于所述硅片承载台上，隔离片可抗强酸腐蚀；向反应腔体内通入清洁气体，以对CVD反应腔体进行清洁；清洁完成后，将隔离片转移至隔离片腔体内。当向反应腔体内通入清洁气体后，由于隔离片的阻隔，清洁气体不会腐蚀硅片承载台，从而延长了硅片承载台的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cvd 反应 清洁 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种CVD反应腔体的清洁方法，其特征在于，包括：将置于隔离片腔体内的隔离片转移至反应腔体内，并将所述隔离片覆盖于所述硅片承载台上，所述隔离片可抗强酸腐蚀；向所述反应腔体内通入清洁气体，以对所述CVD反应腔体进行清洁；清洁完成后，将所述隔离片转移至所述隔离片腔体内。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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