[发明专利]一种单轴压电驱动的弱磁场测量传感器有效

专利信息
申请号: 201110196087.0 申请日: 2011-07-13
公开(公告)号: CN102353913A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 田武刚;潘孟春;陈棣湘;罗诗途;胡佳飞;张琦;李季 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 国防科技大学专利服务中心 43202 代理人: 王文惠
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种单轴压电驱动的弱磁场测量传感器,包括绝缘基底、GMR敏感元件、两个相同的磁力线聚集器、调制膜、微悬臂梁和压电陶瓷薄片。在绝缘基底表面上镀有三对电极;两个磁力线聚集器分别固定在GMR敏感元件两端的绝缘基底表面上,GMR敏感元件两端分别位于磁力线聚集器的“凹”形槽内。所述微悬臂梁包括基座、悬臂。基座固定在绝缘基底上,基座连接悬臂。悬臂的自由端开有两个对准孔,两个对准孔之间制备有高磁导率软磁材料的调制膜,调制膜与GMR敏感元件垂直距离为8~15微米。压电陶瓷薄片粘在悬臂上。本发明提供的弱磁场测量传感器调制深度较大,分辨力较高,结构工艺简单,驱动电压较低。
搜索关键词: 一种 压电 驱动 磁场 测量 传感器
【主权项】:
一种单轴压电驱动的弱磁场测量传感器,其特征在于,包括绝缘基底(6)、三对电极(7、8、9)、GMR敏感元件(10)、两个相同的磁力线聚集器(11)、调制膜(14)、微悬臂梁(13)和压电陶瓷薄片(5);所述绝缘基底(6)采用表面抛光的玻璃片,在绝缘基底(6)表面上镀有三对电极(7、8、9);所述GMR敏感元件(10)呈细条状,中央位置有一横向的间隙(12),GMR敏感元件(10)固定在绝缘基座(6)表面上;每个磁力线聚集器(11)较窄一端开有“凹”形槽,“凹”形槽宽度比GMR敏感元件(10)略宽;两个磁力线聚集器(11)分别固定在GMR敏感元件(10)两端的绝缘基底(6)表面上,GMR敏感元件(10)两端分别位于磁力线聚集器(11)的“凹”形槽内,GMR敏感元件(10)和两个磁力线聚集器(11)三者中轴线成一直线;第二对电极(8)和第三对电极(9)分别与GMR敏感元件(10)的两对输入输出电极连接;所述微悬臂梁(13)包括基座(1)、悬臂(2);基座(1)固定在绝缘基底(6)上,基座(1)连接悬臂(2),基座(1)上表面与悬臂(2)上表面共平面,悬臂(2)厚度小于基座(1)厚度;悬臂(2)的自由端开有两个对准孔(3),紧靠对准孔且沿悬臂(2)的中轴线向基座(1)方向依次开有若干个阻尼孔(4);悬臂(2)下表面两个对准孔(3)之间制备有高磁导率软磁材料的调制膜(14),调制膜(14)正对GMR敏感元件(10)的间隙,调制膜(14)的形状与间隙(12)的表面形状相同;所述压电陶瓷薄片(5)表面为长方形,其宽度与悬臂(2)宽度一致,厚度方向为极化方向,压电陶瓷薄片(5)粘在悬臂(2)上,沿压电陶瓷薄片(5)长度方向一端延伸至基座(1),并与第一对电极(7)电连接,另一端延伸靠近阻尼孔(4)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科学技术大学,未经中国人民解放军国防科学技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110196087.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top