[发明专利]一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法

摘要

本发明涉及一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法，属于电子器件制备领域。该方法预先在基体材料上制备单、双层金属或金属担载陶瓷薄膜的图形，然后在该预图形化的基体上沉积纳米碳质薄膜，最后利用湿法刻蚀去除预制的单层金属图形直接剥离附着在其表面的纳米碳质薄膜，或通过底层金属的刻蚀在剥离其担载的金属或陶瓷薄膜的同时去除附着于预制图形表面的纳米碳质材料，保留与基体直接接触的薄膜形成相应的图形，从而实现了纳米碳质薄膜的图形化。由于工艺中碳质薄膜与光刻胶及等离子体无直接接触，从而避免了对所制备图形的污染和损伤。图形化的碳质薄膜可用于显示器透明电极、薄膜场效应晶体管等。

主权项

一种无损、无污染的纳米碳质薄膜的图形化方法，其特征在于，步骤如下：(1)预先在基体材料上制得单、双层金属或金属担载陶瓷的薄膜图形；(2)采用提拉、喷涂或薄膜转移的方法在预制图形的基体上沉积纳米碳质薄膜，其后将薄膜在50～120℃下加热处理1～5小时，以增加薄膜与基体的结合强度，薄膜厚度为2～200nm；(3)将沉积在单、双层金属或金属担载陶瓷薄膜图形上的纳米碳质薄膜浸泡在薄膜图形中与基体接触的金属相应的金属刻蚀液中；其中，预制单层金属薄膜的图形在刻蚀液中金属薄膜被刻蚀，同时附着于其上的纳米碳质薄膜也被去除；预制双层金属或金属担载陶瓷薄膜的图形其底层金属在刻蚀液中被刻蚀，担载在底层金属薄膜上的金属或陶瓷层不被刻蚀，而是随着底层金属的刻蚀被整体剥离，而附着于其上的纳米碳质材料也同时被去除，保留了附着于基体表面的纳米碳质材料，形成图形；预制单、双层金属或金属担载陶瓷时，借助超声辅助去除附着于金属或陶瓷表面的纳米碳质薄膜，超声功率为50W～600W，超声时间为5s～10min；预制金属担载金属或陶瓷的双层的图形时，也可在无超声辅助的条件下实现剥离。