[发明专利]沟槽式多晶硅二极管有效
| 申请号： | 201110147177.0 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102322968A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 陈曲飞;罗伯特.徐;凯尔.特里尔;戴娃.帕塔纳亚克 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01;H01L21/336;H01L29/866;H01L29/78;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 丁艺;沙捷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明包括温度传感器，其包括被电连接到第一管脚和第二管脚的第一沟槽式多晶硅二极管，其中第一沟槽多晶硅二极管的一部分位于N-(P-)型外延区域的表面之下；和被连接到所述第一管脚和所述第二管脚的第二沟槽式多晶硅二极管，其中第二沟槽式多晶硅二极管的一部分位于N-(P-)型外延区域的所述表面之下，并且其中第一沟槽式多晶硅二极管和第二沟槽式多晶硅二极管被反并联地连接，能够通过在第一管脚和第二管脚之间测量的电压来确定温度。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 多晶 二极管 | ||
【主权项】：
一种温度传感器，包括：第一沟槽式多晶硅二极管，其被电连接到第一管脚和第二管脚，其中所述第一沟槽式多晶硅二极管的一部分位于N‑(P‑)型外延区域的表面之下；和第二沟槽式多晶硅二极管，其被连接到所述第一管脚和所述第二管脚，其中所述第二沟槽式多晶硅二极管的一部分位于所述N‑(P‑)型外延区域的所述表面之下，其中所述第一沟槽式多晶硅二极管和所述第二沟槽式多晶硅二极管被反并联地连接，其中能够通过在所述第一管脚和所述第二管脚之间测量的电压来确定温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于维西埃-硅化物公司，未经维西埃-硅化物公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110147177.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种替加氟、吉美斯特复方注射液
- 下一篇：等离子装置
