[发明专利]基于标准CMOS工艺的高压横向双扩散NMOS的制作方法

摘要

本发明提供一种基于标准CMOS工艺的高压横向双扩散NMOS的制作方法，包括步骤：提供P型硅衬底，其上制作LOCOS，其划分为低压CMOS区域和高压LDNMOS区域；在LDNMOS区域注入磷并扩散，形成高压N阱；在CMOS区域进行双阱工艺，形成低压N阱及低压P阱；在LDNMOS区域依次形成厚栅氧层和薄栅氧层；依次形成多晶硅层和氮化硅层，依次刻蚀分别形成栅极和阻挡层；涂布光刻胶，经曝光和显影后露出LDNMOS的P型体区的注入位置；以光刻胶和阻挡层为掩模，分别以大于30°和小于7°的角度两次注入P型离子，形成LDNMOS的沟道；以栅极为对准标的，形成PMOS和NMOS的源区和漏区，以及LDNMOS的源区、漏区和P型体区接触端。本发明在栅极形成后采用大角度注入工艺形成沟道，无需长时间高温热过程，工艺互相兼容。

主权项

一种基于标准CMOS工艺的高压横向双扩散NMOS的制作方法，包括步骤：提供P型硅衬底，在其上制作局部氧化隔离，所述P型硅衬底被划分为低压CMOS区域和高压LDNMOS区域，所述低压CMOS区域还被划分为PMOS区域和NMOS区域；在所述高压LDNMOS区域注入N型杂质并作扩散，形成所述LDNMOS的高压N阱；在所述低压CMOS区域进行CMOS双阱工艺，在所述PMOS区域形成低压N阱以及在所述NMOS区域形成低压P阱；在所述高压LDNMOS区域依次形成厚栅氧层和薄栅氧层，在所述低压CMOS区域也同步形成栅氧层；在所述低压CMOS区域和高压LDNMOS区域依次形成多晶硅层和氮化硅层，然后依次刻蚀所述多晶硅层和氮化硅层，分别形成栅极和栅极阻挡层；在所述低压CMOS区域和高压LDNMOS区域涂布光刻胶，经过曝光和显影后露出所述LDNMOS栅极侧的P型体区的注入位置；以所述光刻胶和栅极阻挡层为掩模，分别以大于30°的大角度和小于7°的小角度两次注入P型杂质，形成所述LDNMOS的沟道；以所述栅极为对准标的进行离子注入，形成所述PMOS和NMOS的源区和漏区，以及形成所述LDNMOS的源区、漏区和P型体区接触端。