[发明专利]背接触晶体硅太阳能电池片制造方法

摘要

本申请公开了一种背接触晶体硅太阳能电池片制造方法，包括：在半导体基片表面进行制绒、扩散；在扩散后半导体基片上开孔；对开孔后半导体基片进行刻蚀；去除刻蚀后半导体基片上的掺杂玻璃层；在去除掺杂玻璃层后半导体基片的受光面上镀膜；在镀膜后半导体基片上制备电极及背电场后得到背接触晶体硅太阳能电池片。该方法首先对半导体基片表面进行扩散，在扩散后再在半导体基片进行开孔，这样就可以使得通孔的内壁不会被扩散，即在通孔内没有发射结。与现有技术相比，该方法可以减少激光隔离工序，降低了电池片漏电风险，并且使得电池片的碎片率大幅度降低。另外，减少激光隔离工序，使得工艺更加简单，并减少了设备成本，有利于大规模工业化生产。

主权项

一种背接触晶体硅太阳能电池片制造方法，其特征在于，包括：在半导体基片的表面进行制绒、扩散；在扩散后所述半导体基片上开孔；对开孔后所述半导体基片进行刻蚀；去除刻蚀后所述半导体基片上的掺杂玻璃层；在去除掺杂玻璃层后所述半导体基片的受光面上镀膜；在镀膜后所述半导体基片上制备电极及背电场后得到背接触晶体硅太阳能电池片。