[发明专利]光电材料制备有效
| 申请号： | 201110058165.0 | 申请日： | 2011-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102675278B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈永胜;刘永胜;万相见;王菲;龙冠奎;周娇艳 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C07D333/22 | 分类号： | C07D333/22;C07D417/14;C07D333/24;C07D409/14;C07D495/04;C09K11/06;C08G61/12;H01L51/05;H01L51/42 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人： | 王达佐,阴亮 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 光电材料制备公开了含受体端基的给受体型寡聚噻吩化合物、其制备方法与用途。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 材料 制备 | ||
【主权项】：
选自通式(1)至通式(6)的含受体端基的给受体型寡聚噻吩化合物：通式(1)通式(2)通式(3)通式(4)通式(5)通式(6)其中，n为1至50的整数；R1和R2分别独立地选自H或C1‑C30烷基，其中R1和R2可以相同也可以不同，但是R1和R2不能同时为H；D和D1分别为独立地选自基团7、基团8、基团15至基团19的桥连的共轭电子给体单元，其中R3选自H、C1‑C30烷基或C1‑C30烷氧基；A和A1分别为独立地选自基团20的桥连的共轭电子受体单元，以及A2为端基受体单元，其中A2选自基团28、基团30至基团34：其中R5选自C1‑C30烷基。
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