[发明专利]斑纹减少装置和斑纹减少掩模有效
| 申请号： | 201110054854.4 | 申请日： | 2011-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN102193208A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 仝召民;高文宏;陈旭远;穆罕默德·纳迪姆·阿克拉姆;欧阳光敏;王开鹰 | 申请（专利权）人： | 西福尔德高等学院 |
| 主分类号： | G02B27/48 | 分类号： | G02B27/48;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;李春晖 |
| 地址： | 挪威滕*** | 国省代码： | 挪威;NO |
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| 摘要： | 公开了一种斑纹减少装置和斑纹减少掩模。斑纹减少装置(1)包括：辐射路径；以及布置在辐射路径内的掩模(7)，掩模(7)包括被配置成在掩模上形成随时间变化的图案的电可控单元的阵列。斑纹减少掩模(7)包括：第一线性阵列，其包括被布置成改变入射辐射的相位的第一平行线；以及包括第二平行线的第二线性阵列，第二平行线被布置成改变入射辐射的相位并且还被布置成使得在第一平行线和第二平行线的相交处形成单元。斑纹减少掩模(7)包括：根据公式ATA＝βδk，l形成的N1×N2单元阵列A，其中，AT是A的转置，β是正实常数，δk，l是克罗内克符号，N1≠N2。 | ||
| 搜索关键词： | 斑纹 减少 装置 | ||
【主权项】：
一种斑纹减少装置，包括：辐射路径；以及布置在所述辐射路径内的掩模，所述掩模包括被配置成在所述掩模上形成随时间变化的图案的电可控单元的阵列。
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