[发明专利]具有提高的雾度的基于纳米结构的透明导体以及包含所述透明导体的装置有效
| 申请号： | 201080062238.7 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102834923B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 雷姆珀尔·巴蒂亚;哈什·帕克巴滋;加莱那·塞帕;特里萨·拉莫斯;弗络瑞恩·普舍尼茨卡;迈克尔·A·斯贝德;卡尔·皮驰勒 | 申请（专利权）人： | 凯姆控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 王玉双 |
| 地址： | 维尔京群岛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及修改具有不同且可调的散射、不同的材料和不同的微观结构及纳米结构的基于纳米结构的透明导体以获得提高的雾度/光散射。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 提高 基于 纳米 结构 透明 导体 以及 包含 装置 | ||
【主权项】：
透明导电层，其包含：第一多个导电纳米线；以及第二多个微米光散射颗粒，其中所述透明导电层的雾度值大于10％且薄层电阻不大于200欧姆/平方，其中所述导电纳米线与所述微米光散射颗粒在所述透明导电层中相互混合。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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