[发明专利]单晶制造装置有效

专利信息
申请号: 201080053719.1 申请日: 2010-12-03
公开(公告)号: CN102630256A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 岛田聪郎 申请(专利权)人: 信越半导体股份有限公司
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14;C30B29/06
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 宋晓宝;郭晓东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明是一种单晶制造装置,是通过切克劳斯基法来制造单晶锭的单晶制造装置,具备:坩埚,其容置原料熔液;加热器,其具有围绕该坩埚的圆筒形发热部;主室,其容置该加热器;加热电极,其支持所述加热器,并供给电流;及绝热板,其被配置于所述加热器的圆筒形发热部的下方;其中,所述绝热板,经由绝缘性固定构件,被固定并支持于所述加热电极,并在所述绝热板的顶面与所述圆筒形发热部的下端相对应的位置处,配置有绝缘性支持构件。由此,其目的在于提供一种抑制加热器的变形且热效率不会恶化的单晶制造装置。
搜索关键词: 制造 装置
【主权项】:
一种单晶制造装置,是利用切克劳斯基法来制造单晶锭的单晶制造装置,具备:坩埚,其容置原料熔液;加热器,其具有围绕该坩埚的圆筒形发热部;主室,其容置该加热器;加热电极,其支持所述加热器,并供给电流;及绝热板,其被配置于所述加热器的圆筒形发热部的下方;其中,所述单晶制造装置的特征在于:所述绝热板,经由绝缘性固定构件,被固定并支持于所述加热电极,并在所述绝热板的顶面与所述圆筒形发热部的下端相对应的位置处,配置有绝缘性支持构件。
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