[发明专利]用于电子器件的材料

摘要

本发明涉及新的通式(I)或(II)的化合物，该化合物在电子器件中的用途，该化合物的制备方法，和包括优选作为基质材料或作为电子传输材料的该化合物的电子器件。

主权项

1.通式(I)或通式(II)的化合物：通式(I)通式(II)其中存在的符号和标记定义如下：Ar¹、Ar²、Ar³在每次出现时相同或不同地是具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，该环系任选被一个或多个基团R¹取代；Cz在每次出现时相同或不同地是通式(A)的基团通式(A)其中虚线代表与Ar¹或X或与中心的咔唑衍生物可能键合的位置，并且氮是优选的键合位置；A是N或P；X在每次出现时相同或不同地选自-B(R¹)-、-N(R¹)-、-P(R¹)-、-P(R¹)₃-、-P(=O)(R¹)-、-C(R¹)₂-、-Si(R¹)₂-、C=O、C=NR¹、C=C(R¹)₂、-O-、-S-、-Se-、-S(=O)-和-S(=O)₂-；Y在每次出现时相同或不同地是CR^Cz或N，或如果基团X或Ar¹或Ar³或Cz与该基团键合则Y是C；Z在每次出现时相同或不同地是CR^HetAr或N，其中每个六元环的至少一个Z等于N；q在每次出现时相同或不同地是0或1，其中，在q=0的情况下，键合到所讨论的基团Ar¹或Ar³上的两个基团彼此直接键合；s在每次出现时相同或不同地是0或1，条件是至少一个标记s等于1；x在每次出现时相同或不同地是0或1，其中，在x=0的情况下，键合到所讨论的基团X上的两个基团彼此直接键合；R¹、R^HetAr、R^Cz在每次出现时相同或不同地是H，D，F，Cl，Br，I，N(R²)₂，CN，NO₂，Si(R²)₃，B(OR²)₂，C(=O)R²，P(=O)(R²)₂，S(=O)R²，S(=O)₂R²，OSO₂R²，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有2至40个C原子的直链烯基或炔基基团或具有3至40个C原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，它们每个可被一个或多个基团R²取代，其中一个或多个CH₂基团可被-R²C=CR²-、-Si(R²)₂-、-Ge(R²)₂-、-Sn(R²)₂-、C=O、C=S、C=Se、C=NR²、-P(=O)(R²)-、-S(=O)-、-S(=O)₂-、-N(R²)-、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR²-代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情况下可被一个或多个基团R²取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，它们可被一个或多个基团R²取代，或具有5至60个芳族环原子的芳烷基或杂芳烷基基团，它们在每种情况下可被一个或多个基团R²取代；此处两个或更多个取代基R¹、R^HetAr或R^Cz可以彼此连接，并可以任选形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系；R²在每次出现时相同或不同地是H，D或具有1至20个C原子的脂族、芳族或杂芳族有机基团，其中另外，一个或多个H原子可被D或F代替；此处两个或更多个基团R²可以彼此连接并可以任选形成单环或多环的脂族、芳族或杂芳族环系。