[发明专利]用于制造发光机构的方法和发光机构无效
| 申请号： | 201080033175.2 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102473704A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 贝特霍尔德·哈恩;马库斯·毛特;西格弗里德·赫尔曼 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;F21K99/00;H01L25/075;H01L33/00;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张春水;田军锋 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于制造发光机构的方法，具有如下步骤：提供多个发光二极管(4)，其中，每个发光二极管包括一个辐射可穿透的载体(44)和至少两个空间上相互分开的半导体(41，42，43)，每个半导体(41，42，43)设计成用于产生电磁辐射，所述半导体(41，42，43)可被相互分开地控制并且所述半导体(41，42，43)设置在辐射可穿透的载体(44)上且设置在辐射可穿透的载体(44)的顶侧(44a)上；提供由CMOS芯片(10)组成的芯片组合体(1)，其中，每个CMOS芯片(10)在其顶侧(10a)上具有至少两个连接部位(2)；将发光二极管(4)中的至少一个与CMOS芯片(10)中一个连接，其中，发光二极管(4)设置在辐射可穿透的载体(44)的顶侧(44a)上且设置在CMOS芯片(10)的顶侧(10a)上并且发光二极管的每个半导体(41，42，43)与CMOS芯片(10)的连接部位(2)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 发光 机构 方法 | ||
【主权项】：
用于制造发光机构的方法，具有如下步骤：‑提供多个发光二极管(4)，其中，每个发光二极管包括一个辐射能穿透的载体(44)和至少两个空间上相互分开的半导体(41，42，43)，每个半导体(41，42，43)设计成用于产生电磁辐射，所述半导体(41，42，43)能被相互分开地控制并且所述半导体(41，42，43)设置在所述辐射能穿透的载体(44)上且设置在所述辐射能穿透的载体(44)的顶侧(44a)上，‑提供由CMOS芯片(10)组成的芯片组合体(1)，其中，每个CMOS芯片(10)在其顶侧(10a)上具有至少两个连接部位(2)，‑将所述发光二极管(4)中的至少一个与所述CMOS芯片(10)中一个连接，其中，所述发光二极管(4)设置在所述辐射能穿透的载体(44)的所述顶侧(44a)上且设置在所述CMOS芯片(10)的顶侧(10a)上，并且所述发光二极管的每个半导体(41，42，43)与所述CMOS芯片(10)的连接部位(2)连接。
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