[发明专利]硅基Al2O3薄膜芯片电容器及制作方法

摘要

本发明公开了一种硅基Al2O3薄膜芯片电容器，可用于微波和射频电路中，起旁路和滤波作用。该芯片电容器包括低阻(电阻率≤1×10-3Ω·cm)硅衬底、非晶Al2O3绝缘薄膜、上电极、下电极四层结构。采用射频磁控溅射法，以高纯Al2O3陶瓷为靶材，在单晶Si衬底生长Al2O3非晶绝缘薄膜，接着在薄膜表面溅射生长Ti或TiW层和Au层，再经电镀Au加厚后，通过光刻、腐蚀的方法制作上电极图形，根据芯片电容厚度的要求对Si片背面减薄，在背面溅射Ti或TiW层和Au层作为下电极，划片后制作成芯片电容。该电容具用高Q值、损耗小、结构与工艺简单、成本低廉、尺寸小等优点。

主权项

一种硅基Al2O3薄膜芯片电容器，其特征在于所述的芯片电容器依次包括低阻硅衬底、Al2O3绝缘介质薄膜、上电极和下电极四层结构，构建成金属‑绝缘体‑金属的结构；其中，①所述的低阻硅衬底的电阻率小于或等于1×10‑3Ω·cm；②所述的Al2O3介质薄膜为非晶Al2O3薄膜；③所述的上电极采用溅射或电子束蒸发生长Ti或TiW和Au，并通过电镀Au加厚到3～5μm。