[发明专利]电极部的构造无效
| 申请号： | 201010572028.4 | 申请日： | 2010-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN102194683A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 土肥小也香;奥野敏明;佐野彰彦;宫地孝明;羽田善纪 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/311;H01L21/768;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种电极部的构造，在贯通配线的端部形成电极，防止该电极部的断线。在基板(12)上设置贯通上下的贯通孔(16)，在贯通孔(16)内设置贯通电极(15)。贯通电极(15)从基板(12)的上表面曲面状地突出。用绝缘膜(18)覆盖基板(12)的上表面，与贯通电极(15)对应在绝缘膜(18)上开设接触孔(19)。接触孔(19)的开口直径比贯通电极(15)的截面直径小，贯通电极(15)的上表面的周围通过接触孔(19)覆盖。接触孔(19)开口缘的自贯通电极(15)的基板上表面的突出长度Dp不比绝缘膜(18)的膜厚Ddiel大。将自贯通电极(15)的顶部的基板上表面的突出长度(最大突出长度)设定为Dtsv时，该突出长度Dtsv被调整为：0≤Dtsv≤Ddiel+Dp，其中Dp＞0。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 构造 | ||
【主权项】：
一种电极部的构造，在设置于基板的贯通孔内形成贯通电极，对所述基板的表面进行磨削、研磨，通过绝缘膜覆盖所述基板的表面，并且，与所述贯通电极的端面对应，在所述绝缘膜上开口形成有接触孔，在所述绝缘膜上形成电极，而且，通过所述接触孔在所述贯通电极的端面形成所述电极，其特征在于，以使所述贯通电极的端面不从所述基板的表面凹陷的方式而形成，在所述接触孔的开口缘从所述基板的表面测定的所述贯通电极的突出长度Dp为所述绝缘膜的膜厚Ddiel以下，且将从所述基板的表面测定的所述贯通电极的顶部的突出长度设定为Dtsv时，以满足以下条件的方式形成所述贯通电极的端面，即、0≤Dtsv≤Ddiel+Dp，其中，Dp＞0。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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