[发明专利]一种晶格渐变缓冲层的制备方法有效
| 申请号： | 201010295458.6 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102011182A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 刘如彬;王帅;孙强;孙彦铮 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16 |
| 代理公司： | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人： | 王来佳 |
| 地址： | 300381 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶格渐变缓冲层的制备方法，步骤(1)：以商用锗单晶、砷化镓单晶或磷化铟单晶为衬底；步骤(2)：利用外延技术外延一层与衬底材料晶格匹配的材料作为成核层；步骤(3)：在成核层外延生长晶格渐变层，该晶格渐变层由若干组份逐渐增大的砷化铟镓材料组成，直至顶层材料晶格达到理想晶格或略低于理想晶格；步骤(4)：在晶格渐变层上外延一层晶格常数大于理想晶格的砷化铟镓材料作为晶格过冲层；步骤(5)：外延一层晶格常数等于理想晶格的、与在其紧邻上层生长的材料相同的材料作为晶格缓冲层。本发明解决了现有外延材料因与衬底晶格不匹配造成的器件性能恶化的影响，能有效控制器件表面的穿透位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶格 渐变 缓冲 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶格渐变缓冲层的制备方法，其特征在于：步骤是：步骤(1)：以商用锗单晶、砷化镓单晶或磷化铟单晶为衬底；步骤(2)：利用外延技术外延一层与衬底材料晶格匹配的材料作为成核层；步骤(3)：在成核层外延生长晶格渐变层，该晶格渐变层由若干组份逐渐增大的砷化铟镓材料组成，直至顶层材料晶格达到理想晶格或略低于理想晶格；步骤(4)：在晶格渐变层上外延一层晶格常数大于理想晶格的砷化铟镓材料作为晶格过冲层；步骤(5)：外延一层晶格常数等于理想晶格的、与在其紧邻上层生长材料相同的材料作为晶格缓冲层。
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