[发明专利]高纯磷烷的净化和分析无效
| 申请号： | 201010284480.0 | 申请日： | 2010-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102398898A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 尹恩华;武峰;陆方喜 | 申请（专利权）人： | 武峰 |
| 主分类号： | C01B25/06 | 分类号： | C01B25/06;G01N30/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 277100 山东省枣庄市市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 高纯磷烷研制的工艺过程分为两步，第一步为磷烷气体的生成，即用起始原料亚磷酸生产出约2N纯度的磷烷；第二步是采用低温真空分离、吸附干燥、精馏和镓-铟合金或催化剂深吸附脱水、氧。最后纯度为5N5。过滤除颗粒(常见金属)以及高纯气体灌装，生产出适合我国电子行业需要的5N5高纯气体。高纯磷烷分析内容包括：痕量氧+氩、氮、总烃、一氧化碳、二氧化碳、水和砷烷杂质分析(浓缩或DID色谱)。杂质分析灵敏度分别为0.1～0.2PPM。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 净化 分析 | ||
【主权项】：
粗制磷烷经冷冻后脱除甲烷，由于磷烷与甲烷的沸点相差很多，通过低温冷冻在‑90～‑120℃左右，初步分离少量氢、甲烷、二氧化碳、一氧化碳、氧、氮(氢、氮一般对电子工业无害)。
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