[发明专利]一种深孔硅刻蚀方法有效
| 申请号： | 201010280087.4 | 申请日： | 2010-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102398887A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 凯文·皮尔斯 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种深孔硅刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括交替进行的刻蚀步骤和侧壁保护层沉积步骤，所述刻蚀步骤供应刻蚀反应气体到放置有待刻蚀硅片的反应腔，刻蚀硅层并形成开口，侧壁保护步骤供应侧壁保护气体，其中侧壁保护气体包括含硅气体和含氧气体，在开口的侧壁和底部形成氧化硅层。使用本发明的深孔硅刻蚀方法刻蚀的深孔侧壁具有更高的强度不需要额外的强化步骤，提高整体的刻蚀效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深孔硅 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种深孔硅刻蚀方法，包括多个循环进行的刻蚀周期，每个刻蚀周期包括一个刻蚀步骤和侧壁保护步骤，其特征在于：所述刻蚀步骤供应刻蚀反应气体到放置有待刻蚀硅片的反应腔，刻蚀硅层并形成开口，所述侧壁保护步骤供应侧壁保护气体，其中侧壁保护气体包括含硅气体SiF4和含氧气体反应并沉积在所述开口的侧壁和底部形成氧化硅层。
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