[发明专利]一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法，其制作方法为：将硅片清洗制绒后进行一次重扩散，在一次重扩散的硅片表面镀一层氮化硅薄膜，然后在硅片表面场区部分印刷刻蚀Si的刻蚀性浆料，或者，重扩散后直接在硅片表面场区部分印刷刻蚀Si的刻蚀性浆料，刻蚀时间20min～120min，硅片重扩散的温度为800℃～1000℃，扩散后方阻为10ohm/sq～50ohm/sq。刻蚀Si的刻蚀性浆料含有1％～50％的氟化氢胺。本发明的方法在刻蚀过程中可以去掉场区的一部分损伤层，有利于提高电池的效率，并且形成的轻掺杂区域的方阻均匀性好，表面浓度较低，有利于选择性发射结电池的效率的提高。

主权项

一种晶体硅太阳电池选择性发射结的制作方法，其特征在于：所述的制作方法为：将硅片清洗制绒后进行一次重扩散，在一次重扩散后的硅片表面镀一层氮化硅薄膜，然后在硅片表面场区部分印刷刻蚀Si的刻蚀浆料，刻蚀时间为20min～120min，硅片表面形成重掺杂区和轻掺杂区。