[发明专利]双极型晶体管结电容的提取方法

摘要

本发明公开了一种双极型晶体管结电容的提取方法，在版图设计中，将双极型晶体管的发射极直接接地，将双极型晶体管的基极接为二端口网络的端口1，而将双极型晶体管的集电极接为二端口网络的端口2；然后进行第一高频测试、第二高频测试，分别测两个端口之间的Y参数，接着分别按三个公式进行推导得到：双极型晶体管发射结电容Cje和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值，以及衬底电容Cjs在零偏压时的电容值；双极型晶体管衬底电容Cjs和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值，以及发射结电容Cje在零偏压时的电容值。本发明的双极型晶体管结电容的提取方法，能快速可靠地提取双极型晶体管结电容。

主权项

一种双极型晶体管结电容的提取方法，其特征在于，包括以下步骤：一.在版图设计中，将双极型晶体管的发射极直接接地，将双极型晶体管的基极接为二端口网络的端口1，而将双极型晶体管的集电极接为二端口网络的端口2；二.分别进行第一高频测试、第二高频测试，得到双极型晶体管结电容；第一高频测试，是在双极晶体管的基极加扫描电压，在双极型晶体管的集电极加一个0V的电压，同时，选定测试频率freq，测两个端口之间的Y参数，接着按以下三个公式进行推导，得到双极型晶体管发射结电容Cje和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值，以及衬底电容Cjs在零偏压时的电容值；第二高频测试，是在双极晶体管的集电极加扫描电压，在双极型晶体管的基极加一个0V的电压，同时，选定测试频率freq，测两个端口之间的Y参数，接着按以下三个公式进行推导，得到双极型晶体管衬底电容Cjs和集电结电容Cjc在不同扫描电压下的电容值，以及发射结电容Cje在零偏压时的电容值；所述三个公式如下，其中Imag为一个复数的虚部，Y11，Y12，Y21，Y22为二端口网络的四个Y参数，2π*freq*Cje＝Imag((Y11+Y12)/2)，2π*freq*Cjc＝ Imag((Y21+Y12)/2)，2π*freq*Cjs＝Imag((Y21+Y22)/2)。