[发明专利]碲化镉薄膜太阳电池的制造方法有效
| 申请号： | 201010233400.9 | 申请日： | 2010-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101931031A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 吴洪才 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳电池的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)采用铜薄板或不锈钢薄板作为碲化镉薄膜太阳电池的背电极，用丝网印刷方法在金属板上涂覆p型碲化镉浆料，制作p型碲化镉膜层。涂覆的P型层退火温度控制在600℃，退火时间为40分钟，然后升温至850℃维持1小时。(2)在p型碲化镉膜层上制作中间过渡层和n型硫化镉窗口层，形成p-n结。(3)在窗口层硫化镉膜层上蒸镀或印刷梳状前电极。(4)前后电极连线和焊接，完成碲化镉薄膜太阳电池的制造。该方法简便，易于规模生产化，可以推动规模化生产和较大幅度降低碲化镉薄膜太阳电池成本和价格，而且能提高电池光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化镉 薄膜 太阳电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碲化镉薄膜太阳电池的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)采用金属板作为碲化镉薄膜太阳电池的背电极，用丝网印刷方法在金属板上涂覆p型碲化镉浆料，制作p型碲化镉膜层；(2)在p型碲化镉膜层上制备中间过渡层和n型硫化镉窗口层，形成p n结；(3)在窗口层硫化镉膜层上蒸镀或印刷梳状前电极；焊接和连线前后电极完成碲化镉薄膜太阳电池的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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