[发明专利]防护膜框架及光刻用防护膜有效
| 申请号： | 201010214013.0 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101930165A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 白崎享;戴维·穆舍尔;基肖尔·查克拉瓦蒂;格蕾斯·额 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社;英特尔公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种防护膜框架，即使在将防护膜贴合于曝光底版上，仍可极力减轻因防护膜框架的变形所引起的曝光底版的变形；还提供一种具有此种防护膜框架的光刻用防护膜。本发明的防护膜框架，其特征在于，防护膜框架杆的剖面，是在上边与下边平行的基本四边形的两侧边具有四边形形状的凹陷部的形状。另外，本发明的光刻用防护膜，其特征在于，借助防护胶膜粘接剂将防护胶膜贴设于该防护膜框架的一端面，且在另一端面设置曝光底版粘接剂。 | ||
| 搜索关键词： | 防护 框架 光刻 | ||
【主权项】：
一种防护膜框架，其特征在于，防护膜框架杆的剖面为在上边与下边平行的基本四边形的两侧边具有四边形形状的凹陷部的形状。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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