[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种异质结太阳电池及其制备方法，特指利用带隙变化的纳米晶-非晶两相薄膜材料和单晶硅制备异质结太阳电池。属于太阳能电池器件制备技术领域。本发明的特点是利用纳米晶-非晶两相硅薄膜和P型体硅制造硅基异质结太阳电池。纳米晶-非晶两相硅的带隙高于体硅的带隙(1.12eV)，所以异质结的开路电压得到提高，另一方面，纳米晶-非晶两相硅的带隙从1.3eV变化到1.8eV，由于带隙是渐变的，p型体硅和纳米晶-非晶两相硅之间的能带缓慢变化，提高了短路电流和填充因子。硅基薄膜层利用了较厚本征纳米晶-非晶两相硅和极薄的n型纳米晶-非晶两相硅的组合，进一步降低了电子-空穴在纳米晶-非晶两相硅层中的复合概率，从而提高短路电流。

主权项

一种异质结太阳电池，其特征在于：所述异质结电池结构从上至下依次为：ITO上电极、SiNx减反膜、n型纳米晶-非晶两相硅薄膜、本征纳米晶-非晶两相硅薄膜、p型单晶硅、氧化铝薄膜和Al电极；代替单一带隙硅基薄膜的本征纳米晶-非晶两相硅薄膜的带隙变化范围为1.3～1.8eV；本征纳米晶-非晶两相硅薄膜、n型纳米晶-非晶两相硅薄膜与单晶硅形成异质结构；本征纳米晶-非晶两相硅薄膜厚度30～100nm，n型纳米晶-非晶两相硅薄膜厚度5～20nm。