[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳电池，其特征在于：所述异质结电池结构从上至下依次为：ITO上电极、SiNx减反膜、n型纳米晶-非晶两相硅薄膜、本征纳米晶-非晶两相硅薄膜、p型单晶硅、氧化铝薄膜和Al电极；代替单一带隙硅基薄膜的本征纳米晶-非晶两相硅薄膜的带隙变化范围为1.3～1.8eV；本征纳米晶-非晶两相硅薄膜、n型纳米晶-非晶两相硅薄膜与单晶硅形成异质结构；本征纳米晶-非晶两相硅薄膜厚度30～100nm，n型纳米晶-非晶两相硅薄膜厚度5～20nm。

2.权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于：所述的氧化铝薄膜的厚度为5～20nm，并经快速退火处理，能改善Al电极与P型单晶硅的电接触。

3.权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于：所述太阳电池的芯片选用P型Si片，电阻率在0.05～3Ωcm，厚度在180～220μm。

4.权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于：所述SiNx减反膜的折射率为2.0～2.2，厚度为60～80nm。

5.权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于：所述ITO上电极的方块电阻为10～50Ω，透过率为85～92％，厚度为50～80nm。

6.权利要求1所述的的异质结太阳电池的制备方法，包括干氧、制绒和除背面氧化层三个步骤，其特征在于：除背面氧化层后，利用PECVD在硅片制绒一面生长变带隙的本征纳米晶-非晶两相硅薄膜；利用PECVD在本征纳米晶-非晶两相硅薄膜上生长n型纳米晶-非晶两相硅薄膜，再利用PECVD在n型纳米晶-非晶两相硅薄膜上生长一层折射率为2.0～2.2，厚60～80nm的SiNx减反膜；利用原子层沉积技术在硅片背面生长一层5～20nm厚的氧化铝薄膜；利用溅射方法在电池的正面沉积50～80nm厚的ITO透明上电极，ITO膜的方块电阻在10～50Ω，透过率在85～92％左右；氧化铝薄膜上真空蒸镀铝，最后快速退火处理：退火温度400～500℃，氮气氛保护，退火时间10～30min。